芯片突破带领LED显示屏节能方向发展

《芯片突破带领LED显示屏节能方向发展》LED芯片的研发及科技领跑者一直被美国及日本企业所垄断，最近几年中国LED芯片从跟随者逐渐转换为某些领域成为领先的境界，从而LED显示屏的功率产出比大幅度提升，功率一直是客户选择LED显示屏的关心项之一，代表我国单项技术水平已经达到国际领先水平。2017年1月22日，距离2016年1月8日召开的2015年度国家科学技术奖励大会已一年有余，在此大会上以“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得2015国家技术发明奖一等奖的江风益所带领的团队，并没有停下进的脚步，继蓝光获奖后，更多更大的技术成果不断涌现。其中该中心研发的硅衬底黄光LED电光转换功率已达21.5%，使我国LED达到“局部领跑”地位。“灯泡插在插座上，输入1瓦的电，出来0.2瓦的光，这个电光转化效率就是20%。”王光绪介绍说，工程中心研发的硅衬底黄光LED电光转换功率已达21.5%，远高于国外公开报道的最高水平（9.63%），目前该技术已处于世界领先水平，并使我国LED达到“局部领跑”地位。而黄光世界**水平的获得正是基于该中心自主研发的**代MOCVD高端装备。

走进位于南昌高新区，新落成的南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心（以下简称“工程中心”），随处可见关于LED技术的相关展板。南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副主任王光绪指着展板介绍说，继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得2015国家技术发明奖一等奖后，工程中心目前还在黄光、绿光以及下一代无荧光粉LED显示屏以及新型MOCVD高端装备等方面取得新的突破。除了黄光外，该中心研发的硅衬底绿光LED电光转换功率效率达到40%，处于世界**水平；基于多基色合成的下一代LED显示屏技术已达到实用化水平，正向“全面领跑”的目标迈进。黄光目前在实践中已有良好的运用，并将在2017年上半年，正式从实验室“走出去”，导入生产线进行规模化生产。国际同行对我国黄光LED技术的重大突破表示‘’amazing‘’(令人惊叹)。

王光绪表示，下一代无荧光粉LED显示屏将比**代LED显示屏更加柔和，更加偏向自然光。此外，工程中心还与多家单位或团体展开合作，不断引领国内乃至国际LED发展新方向，同时在原有LED显示屏的基础上实现了“特种显示屏”，拓展了或准备拓展LED与光通信、LED与种植业、LED与养殖业等等。